در مبحث ترمیمی از زمان قدیم باندینگ ها از جمله خانواده های اصیل بودند که تا به به امروز چندین نسل را به خود دیده اند که در اینجا قصد داریم شما را با انواع نسل باندینگ آشنا کنیم .
Table of Contents
باندینگ نسل اول :
- براساس باند بین عاج اچ شده با اسید هیدروکلریک و گلیسروفسفریک اسید دی متاکریلات( GPDM) بود. و اساس کارش ابداع کومونومر Surface active با نام شکیل و زیبای NPG-GMA بود.
- این نسل باندینگ استحکام باند عاجی حدود ۲٬۳ MPa داشت و نتایج ضعیفی را به دنبال آورد.
- پس نسل اول در واقع شروع کار بود…
- قدرت باند بسیار ضعیف در حدود ۲ الی ۴ مگاپاسگال
- ایجاد باند به صورت سطحی
- مثال: Cervident S.S.White
باندینگ نسل دوم :
- این نسل فسفات استر داشت و مکانیسم آن هم براساس واکنش قطبی فسفات بار منفی با کلسیم بار مثبت در اسمیر لایر بود.
- اتصال سست و مرطوب کردن ناکافی عاج و عدم نفوذ به تمام عمق اسمیر لایر از بدی های این نسل بود.
- افزایش قدرت باند به مقدار بسیار کم در حدود ۲ الی ۸ مگاپاسگال
- نفوذ بیشتر باندینگ
- مثال: Bond Lite (Kerr), Scotch Bond (3M), Dentin Adhesit (Vivadent)
باندینگ نسل سوم :
- شروع و ابداع اچ عاج با اسیدفسفریک بود.
- این نسل بجای حذف اسمیر لایر آن را تغییر میداد و نیاز به پرایمر اسیدی داشت .
- و از این نسل به بعد نسل های نوین تر باندینگ را داریم که امروزه بر حسب نیاز از هر کدام از آن ها استفاده میکنیم.
- افزایش قابل توجه قدرت باند در حدود ۱۰ تا ۱۸ مگاپاسکال
- انجام باندینگ در مراحل مختلف برای اولین بار:
۱- آماده سازی مینا بوسیله اسید اچ
۲- آماده سازی عاج و مینا بوسیله پرایمر
۳- باندینگ
- مثال : A.R.T Bond (Coltene), Prisma Universal Bond (Densply) , Scotch Bond (3M), Gluma (Heraeus kulzer)
- باندینگ های نسل اول تا سوم دیگر منسوخ شده اند و در بازار موجود نمی باشند
- نسل چهار و پنج از سیستم توتال اچ تبعیت می کنند، بطوری که مینا و عاج دندان به صورت جداگانه اچینگ شده و سپس به اندازه کافی شستشو (به مدت ۱۵ ثانیه با آب و سپس با آب و هوا) داده می شوند تا لایه اسمیر کاملاً حذف گردد.
- زمان مناسب اچینگ با روش خارج به داخل، برای مینا در حداقل ۲۰ ثانیه و برای عاج حداکثر ۱۵ ثانیه می باشد البته می توان زمان بیشتری برای اچینگ صرف کرد و سطح خشن تری بدست آورد اما این کار در افزایش استحکام باند اثری ندارد و همچنین طولانی تر شدن زمان اچینگ می تواند باعث تغییر ساختمان کلاژن های اکسپوز شده و تداخل در عملکرد باند شود.
باندینگ نسل چهارم :
- 3 مرحله ای: E +P +B ( ابتدا از کاندیشنر و سپس پرایمر و در نهایت ادهزیو استفاده می شود.)
- Etch and rinse
- لایه اسمیر را حذف می کنید
- سیستم توتال اچ (اچ و شستشو) و باندینگ دو مرحله ای (پرایمر و باندینگ در دو بطری مجزا)
- مثال: All Bond (Bisco), Scotch Bond HP (3M), Bond It (Tentron), Optibond FL (Kerr), Syntac (Vivadent)
باندینگ نسل پنجم :
- 2 مرحله ای: (E +(PB
- Etch and rinse
- لایه اسمیر را حذف می کنید
- افزایش قدرت باند تا ۳۴ مگاپاسکال
- سیستم توتال اچ و باندینگ یک مرحله ای (پرایمر و باندینگ در یک بطری)
- انجام کار در دو مرحله (ساده شده نسل چهارم می باشند): ابتدا از اسید اچ و سپس مخلوط پرایمر و باندینگ استفاده می شود.
- مثال: Prime & Bond NT (Dentsply), One Step (Bisco), Optibond Solo (Kerr), Scotch Bond I (3M), Excite (Vivadent), Adper Single Bond 2 (3M), Ultimate (Dentonics, Master-Dent)
نسل شش، هفت و هشت دارای سیستم سلف اچ می باشند و نیازی به اچینگ جداگانه مینا و عاج دندان نیست و اچینگ و پرایمینگ همزمان در مینا و عاج صورت می گیرد و دیگر نیازی حذف لایه اسمیر نمی باشد زیرا لایه اسمیر مدیفاید (Modify or Disolve) می گردد.
باندینگ نسل ششم :
- 2 مرحله ای: EP +B
- Self etch
- لایه اسمیر را فیکس میکند.
- نسل جدید باندینگ های سلف اچ (بدون نیاز به اسید اچ)
- کاندیشنر و پرایمر در یک بطری
- استفاده از پرایمر و باندینگ در دو مرحله و یا مخلوط نمودن آنها و استفاده از یک مرحله ایی
- بدون نیاز به مخلوط کردن
- قدرت باند در حدود ۲۰ تا ۲۸ مگاپاسکال
- مثال: Optibond Solo plus (Kerr), SPE One step plus (Bisco) Tenure Unibond (Denmat), Adhese (Vivadent), Adper Prompt L-Pop (3M), One-up bond F (Tokuyama), Touch & Bond (Parkell), Xeno III (Dentsply), Clearfil Liner Bond F (Kuraray), Single Bond Universal (3M)
باندینگ نسل هفتم:
- یک مرحله ای: EPB
- Self etch
- لایه اسمیر در اینترفیس وارد میشود
- کاندیشنر و پرایمر در یک بطری
- قدرتی بین ۱۸ تا ۲۵ مگاپاسکال
- مثال: iBond (Heraeus Kulzer), Adhese Pen (Vivadent), Ultimate SE (Dentonics, Master-Dent)
باندینگ نسل هشتم:
- یک مرحله ای
- قابل استفاده برای کلیه رستوریشن های دایرکت و ایندایرکت
- بدون نیاز به مخلوط نمودن (کاندیشنر، پرایمر و ادهزیو در بطری هستند.)
- مثال: GC G-Premio BOND
گردآوری: گروه تحقیق و پژوهش آنتوس
باندینگ نسل اول دارای قدرت باند بسیار ضعیف در حدود 2 الی 4 مگا پاسکال است و برای ایجاد باند بهئ صورت سطحی بکار می رود .
قدرت باند در باندیگ نسل دوم از نسل اول بیشتر است و در حدود 2 الی 8 مگاپاسکال است و باعث شده تا باندینگ نسل دوم نفوذپذیری بیشتری داشته باشد .
1) اچ کردن و آماده سازی مینا
2) آماده سازی عاج و مینای دندان توسط پرای
3) باندینگ کردن
باندینگ های نسل یک تا سه منسوخ شده اند و باندینگ نسل چهار و پنجم از سیستم توتال تبعیت می کنند و مینا و عاج به صورت جداگانه اچ می شوند ولی در باندینگ نسل ششم تا هشتم دارای سیستم اچ هستند و دیگر نیازی به اچ کردن ندارند .
